我国在太空成功验证第三代半导体资料制作的功率器材
来源:bob官网网站 发布时间:2025-02-27 01:12:33 浏览次数:899
每经AI快讯,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体资料是我国制作业改变开展方法与经济转型的驱动要素和重要确保。记者从我国科学院微电子研究所得悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器材,第三代半导体资料有望牵引我国航天电源升级换代。据我国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器材是完成电能改换和操控的中心,被誉为“电力电子体系的心脏”,是最为根底、使用最为广泛的器材之一。跟着硅基功率器材的功能迫临极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体资料,以其共同优势可满意空间电源体系高能效、小型化、轻量化需求,对新一代航天技术开展具有极端严重战略意义。
业界专家觉得,我国在太空成功验证第三代半导体资料制作的功率器材,标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下,碳化硅(SiC)功率器材有望牵引空间电源体系的升级换代,为未来我国在探月工程、载人登月、深空勘探等范畴供给新一代功率器材。 (新华社)
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